安森美（onsemi）宣佈已與英諾賽科（Innoscience）簽署合作備忘錄，雙方將探索利用英諾賽科成熟的200mm氮化鎵（GaN）矽基工藝，以擴大 GaN 功率元件的生產規模。 該合作將結合安森美在系統整合、驅動器和封裝方面的專業能力，以及英諾賽科成熟先進的 GaN 製造能力，旨在加速推出高性價比、節能高效的解決方案，推動 GaN 技術普及進程。
新聞概要：
對於安森美的客戶而言，與英諾賽科的合作將帶來如下優勢：
加快產品上市速度：憑藉安森美的系統專業知識以及英諾賽科成熟的 GaN 技術和製造工藝，實現快速原型製作、加速設計導入，並迅速進入主流市場。
可擴展製造：憑藉安森美全球整合與封裝經驗及英諾賽科成熟的 GaN 產能，實現真正因應大眾市場需求的規模化生產，滿足大批量產能高速成長的需求。
更低的系統成本：優化封裝、減少零組件數量和簡化熱管理，實現更緊湊的設計並降低整體系統成本。
「隨著各行各業電力需求的成長，GaN 相比其他材料具有更高的效率、更小的尺寸和更低的能耗。 迄今為止，在低壓和中壓領域，成本和供應限制了其廣泛應用。 透過與英諾賽科的合作，我們有望利用業界最大的GaN生產基地，迅速擴大我們因應全球客戶需求的GaN產品規模，推動其在主流電力應用中的普及。 」安森美企業戰略副總裁 Antoine Jalabert表示。
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